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February 2002
FDC5614P
60V P-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high
voltage PowerTrench process. It has been optimized for
power management applications.
? –3 A, –60 V.
R DS(ON) = 0.105 ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 0.135 ? @ V GS = –4.5 V
Applications
? DC-DC converters
? Load switch
? Power management
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT -6
TM
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–60
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–3
A
– Pulsed
–20
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
1.6
W
(Note 1b)
0.8
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.564
Device
FDC5614P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC5614P Rev C1 (W)
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